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실리콘 광/방사선 센서 기술

기술 개요
  • 근적외선 파장대역에서의 높은 광감응도 및 빠른 반응속도의 Multi-Cell 실리콘 광 센서
  • Human-eye 및 Near IR 일체형 실리콘 광 센서
  • 다양한 실리콘 방사선 센서 : Si PIN Detector, Linear Detector, Pixel Detector, μ-Strip Detector 등
  • 충돌방지 센서, 조도/온도 일체형 센서, 의료용/방사능 검사, 공항 등의 물류 검색용 X-선 감지기 등 활용
실리콘 광/방사선 센서 기술

실리콘 전력반도체 기술

기술 개요
  • 40~200V급 고집적 Trench Gate DMOS(TDMOS) 기술
  • FRD 내장 600V급 Reverse Conducting IGBT(RC-IGBT) 및 Semi-Trench 적용 1200V NPT IGBT 기술
  • 낮은 전압손실, 빠른 역회복시간, 고온안정성 및 높은 EAS 특성을 갖는 Super Barrier Rectifier(SBR)
  • 400V LDMOS, CMOS, BJT 및 Diode가 내장된 전력 집적회로 기술 등
실실리콘 전력반도체 기술

펄스파워용 대전력반도체 기술

기술 개요
  • 고전압스위치용 1400V급 Silicon MOS Controlled Thyristor(MCT) 기술
    • MOS 구동에 의한 On/Off, 낮은 순방향 전압손실, 높은 펄스전류(>1kA) 및 di/dt (>10kA/㎲)
    • Motor Driver, UPS, Capacitor Discharge Ignition System, 군수용 전자식 안전장전장치(EL 품목)
  • HVDC 및 전자기력 추진장치용 5000V/2200A 급 광점호 Thyristor(LTT) 기술
    • 과전압 자기보호기능을 갖는 대면적 광점호 Thyristor 기술(BV>5000V, BVBOD≒5000V, ITSM>60kA)
    • HVDC 등 국가기간산업용 대전력소자, 레이건 등 미래 무기체계의 전자기력 추진장치용 핵심소자(EL 품목)
펄스파워용 대전력반도체 기술

Silicon Carbide(SiC) 전력반도체

기술 개요
  • SiC 전력반도체 : 고전압, 높은 전류밀도, 고온 안정성, 낮은 누설전류, 빠른 스위칭 특성
  • 출연(연)유일의 반도체 일괄소자 제작 인프라 → 6인치 SiC 반도체소자 개발 최적 환경
  • Trench 구조를 적용한 1700V/70A급 SiC SBD 개발로 항복전압 및 누설전류 특성 향상
  • 자기정렬 공정을 이용한 1700V/70A급 SiC MOSFET 개발 및 150℃ 이상 고온 동작 특성
Silicon Carbide(SiC) 전력반도체

0.8㎛ CMOS 설계지침서

6인치 0.8㎛ 실리콘 CMOS 반도체 공정
  • Twin Well
  • 2-Poly (PIP Capacitor & Poly Resistor)
  • 2-Metal, 동작전압=5V
  • Design Rule, Spice Parameter 및 Rule Check (DIVA) 제공
  • 담당자 : 박건식 책임연구원 (TEL : 042-860-6371)
0.8㎛ CMOS 설계지침서

0.5㎛ CMOS 설계지침서 : 업데이트 예정