1999 ~ 2018
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2016 ~ 2018
- 플렉서블 전자소재 센터 개소(FEMC)
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2008 ~ 2009
- 4동 G층 실리콘실험실 6인치 일괄공정 전환
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2004 ~ 2008
- 4동 G층 나노실험실 조성
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1999 ~ 2002
- 4동 G층 화합물실험실 일체 제작환경 조성(메모리 기술료 및 MIC 사이버 Foundry 연구비 재원)
1987 ~ 1998
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1996 ~ 1998
- 4동 G층 R&D 실험실 70평 조성(MIC, KT, 부처공동연구비 및 메모리 기술료 재원)
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1993 ~ 1995
- 4동 G층 화합물실험실 20평 추가 조성(MIC, 부처공동연구비)
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1991 ~ 1992
- 4동 G층 화합물실험실 105평 조성, 4동 1층 물성분석실험실 78평 조성(MIC, KT, 부처공동연구비, OECF 차관 재원)
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1987 ~ 1990
- 4동 G층 실리콘실험실 235평 조성(KT 및 부처공동연구비, 1989년 특별외화대출 재원)