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부서 소개

융합부품기술센터

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융합부품기술센터는 출연(연) 유일의 반도체 일괄소자 제작이 가능한 반도체종합실험실을 1987년 조성을 시작하여 현재 1,700여평에 2,000여종의 연구장비가 구축된 60여개의 개별 연구실험실 등 인프라를 구축하였으며, 이를 활용하여 4차 산업혁명의 성공적인 실현을 위해 ICT 핵심부품 및 시스템과 서비스가 연계된 핵심 고부가가치 소재부품 개발을 위한 연구환경을 제공하고 있습니다.

융합부품기술센터는 실리콘 반도체소자(CMOS, JFET 등)와 고효율 Photodiode, Radiation Detector, Si 전력반도체 (MOSFET, IGBT, Rectifier) 등을 개발하였으며, 특히, 융합부품실험실에서 기술경쟁력을 갖는 군수용 대전력 반도체소자, SiC SBD 및 MOSFET, 전력변환 모듈 분야에 대한 연구개발을 수행하고 있습니다.

융합부품기술센터는 30년간 축적된 실리콘반도체 공정 및 소자개발 기술을 기반으로 원내 기술지원을 통한 연구경쟁력 향상을 도모함과 아울러 원외 중소기업을 비롯한 산‧학‧연에 Si/SiC 반도체 소자, 센서, MEMS, 물성분석 및 패키징 등 관련 기술에 대한 Foundry Service 및 기술 지원을 통해 국내산업의 국제경쟁력을 강화하는데 전력을 다하고자 합니다.

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융합부품기술센터센터장 박종문

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