차세대 SiC 파워반도체 소자
- 작성자여순일
- 배포일2018.03.22
- 조회수6763
- 첨부
§우수한 물성(높은
항복전계, 열전도도,
빠른 속도 등)의 SiC 기반
절전형
고효율/저손실 전력반도체
소자
§1700V급
차세대 6인치
SiC
전력반도체 개발/상용화
- SiC MOSFET/Diode 시뮬레이션 및 설계
- 6인치 SiC 핵심 단위공정 기술: 사진전사, 식각, 게이트절연막, 오믹/쇼트키 메탈 등
- 1700V급 Planar/Trench MOSFET 및 SBD
- Si 반도체공정 호환
§6인치
SiC 반도체
제작 인프라 구축
