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기술 요약

25Gbps-10km EML 광소자 칩 기술

25Gbps-10km EML 광소자 칩 기

기술 개요

아래 그림은 EML 칩 layout (좌상), 파장제어 회절격자 (좌하), 레이저의 출력 스펙트럼

(ASE: amplified spontaneous emission)을 나타내며, DML에 비해 고속동작과 긴 전송

거리의 장점을 가지는 반면 제작단가가 높고광출력이 낮기 때문에, C/L-

band(1530~1625nm)에 적용하는 것이 바람직

기술의 특징

및 장점

EML 칩의 경우, 발진광을 생성하는 DFB-LD는 CW(continuous wave) 동작을 시키고, 

레이저 공동 밖에 위치한 EAM으로 변조시키므로 간접변조 (indirect modulation) 광

원으로 불리며, 상기 DML에 비해 변조시 발생하는 발진광의 선폭 증가가 작기 때문에

요구 TDP 에 대해 전송거리가 증가하는 장점이 있음

- 현재 10Gbps C-band 제품으로는 100km 이상 전송이 가능하며, 25Gbps O-band 

제품에 대해서는 약 10km (with PIN PD), 40km (with APD) 버전이 있음

활용분야

5G 이동통신용 분리형 기지국 프론트홀 시스템에 요구되는 광원 칩 및 이를 포함하는

광트랜시버

특허 사항

특허 명

해당사항 없음

출원등록

사항

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: EML칩, 레이저출력, CW