검색의 효율성 증대 연구성과 PDF 다운로드 02차세대 레이더용 고출력 GaN 핵심소자 및 모듈 차세대 군수 및 민수용 S-/X-대역 레이더에 적용되는 GaN 전력증폭 모듈 기술 연구성과 개요 차세대 군수 및 민수용 S-/X-대역 레이더에 적용되는 고출력·고효율 GaN 전력증폭 모듈 및... > 2013년

당자광무선융함연구본부 | 백용순 PDF파일로 보기 S-band 50W급 GaN 전력소자 기술 "GaN 전력소자는 3.4eV의 넓은 에너지 갭을 갖는 반도체로서 고온에서 안정된 화합물일 뿐 아니라 5MV/cm2 이상의 breakdown 전압과 함께2.5x107cm/V sec의 높은 포화전... > 연구성과

oreign Institutes Country Cooperation Organization AUSTRALIA ㆍRED Center ㆍAPCRC BELGIUM ㆍROB BRAZIL ㆍSERPRO ㆍFundacao CPqD CANADA ㆍCRC ㆍNORSAT ㆍWestern Ontario ... > Abstract

n changed from MOST to MKE; Open R&DB organization system built especially for research on convergence technology and to accumulate core tochnology(4 research l... > Chronology

[2022-72호] DMC융합연구단, 에이사 레이더용 단일칩 개발

가고 있다. 국가과학기술연구회 DMC(국방반도체) 융합연구단이 질화갈륨(GaN) 반도체 송·수신 단일 집적회로(MMIC) 기술을 국내 최초로 개발했다고 밝혔다. 최신형 전투기에 장착되는 에이사(AESA) 레이더는 연구진이 개발에 성공한 단일 집적회로(MMIC)가 적용된 반도체 송·수신 ...

연구개발보도자료 2022-12-08

[2022-49호] ETRI, 세계적 수준 질화갈륨 전력소자 국산화 성공

연구진이 순수 국내기술로 차세대 반도체 핵심 소자로 손꼽히는 질화갈륨(GaN) 전력소자 개발에 성공했다.  우리나라 반도체 산업의 경쟁력을 높이고 기술주도권을 확보하는 데 큰 도움이 될 전망이다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 세계적인 수준의 『S-대역 300와트(W) 급 질화갈륨 전...

연구개발보도자료 2022-09-21

[2022-44호] ETRI, 차세대 반도체 소재 ‘산화갈륨’워크숍 개최

워크숍’을 개최한다.  산화갈륨(Ga2O3)은 실리콘(Si), 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC)와 같은 반도체 물질이다.  하지만 기존 반도체 소재들보다 에너지 밴드 갭(Band Gap)이 넓은 울트라와이드 밴드 갭(Ultra-wide bandgap; UWBG) 소재로 더 높은 전압...

경영일반보도자료 2022-08-30