기술 요약

IGBT 전력반도체 적용을 위한 레이저 어닐링 평가 기술

IGBT 전력반도체 적용을 위한 레이저 어닐링 평가 기

기술 개요

본 기술은 전력반도체 특히 FS-IGBT 소자에 적용 가능한 레이저 어닐링 공정을 개발

하기 위해 레이저 광침투 깊이 분석, 레이저에 의한 웨이퍼 Damage 평가 최종적으로

FS-IGBT 소자에 레이저 어닐링을 적용하여 전력반도체 웨이퍼 후면용 레이저 어닐링

장비를 개발하기 위한 공정평가기술

기술의 특징

및 장점

○ 웨이퍼에 대한 레이저 광침투 깊이가 2㎛ 이상이며, 레이저 어닐링 후 웨이퍼에 대한

Damage 평가 시 저항 소자의 Sheet Resistance 값이 900ohm/sq 이하이고 PIN Diode 

소자가 동작하며, 1200V FS-IGBT 소자에 레이저 어닐링 적용 시 Breakdown Voltage 

1200V 이상, Threshold Voltage 4V 이상, Vec(sat) 2.2V 이하의 특성을 가진 레이저 어

닐링 공정에 대한 평가 기술임.

기술이전

범위

레이저 어닐링 평가를 위한 소자/공정/제작 기술

- 웨이퍼에 레이저 광침투 깊이 분석을 위한 시편 제작 기술

- 저항 소자 공정 및 제작 기술, PIN Diode 소자 공정 및 제작 기술

- FS-IGBT 전력반도체 소자 공정 및 제작 기술

레이저 어닐링 후 전력반도체 적용을 위한 평가 기술

- 웨이퍼 후면 레이저 광침투 깊이 분석 기술, Damage 확인을 위한 저항 소자/Diode

소자 특성 평가 기술, 전력반도체 적용을 위한 FS-IGBT 소자 특성 평가 기술

특허 사항

특허 명

해당사항 없음

출원등록

사항

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: IGBT, 레이저 어닐링, 평가기술