기술 요약

X-band 40W GaN IMFET 기술

X-band 40W GaN IMFET 기

기술 개요

X-band 40W GaN HEMT 소자 기술

X-band 40W GaN HEMT IMFET 증폭기 설계 및 제작기술

* IMFET : Internally Matched FET, 내부 정합형 FET

사양

0.25um AlGaN/GaN on SiC HEMT 기술

ü 0.25um GaN HEMT 소자 설계, 공정 및 측정 분석

ü 40W급 고출력 고효율 전력소자

이전 가능

기술

X-band 40W급 IMFET 증폭기 기술

ü 전력소자 특성 추출 및 정합회로 설계 기술

ü IMFET 증폭기 제작 및 특성 분석 기술

추가적인 구조의 복잡도 증가 없이 패시베이션 층에 원자층 증착법으로 증착한 막

을 사용함으로써 고이동도 소자의 신뢰성 확보

고이동도 산화물 TFT를 구현하기 위한 액티브층 형성 방법및 산화물 TFT 제조 공정

전반에 대한 노하우 기술

기술 적용

분야

군수용 레이더 : 해상용 레이더, 방공 레이더, 탐색기용 증폭기

민수용 레이더 : 선박 레이더, 기상 레이더, 위성 통신용 증폭기

특허 사항

특허 명

고이동도 산화물 박막트랜지스터

출원등록

사항

등록 번호: 8841665(미국)

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: GaN, HEMT, IMFET, radar, X-band, power amplifier

기술을 설명할 수

있는 구조, 그림,

활용 사례 등

GaN HEMT 소자 및 IMFET 시제품

GaN HEMT IMFET PKG

해상 X-band  레이더 시스템

THAAD  레이더 시스템