민군기술협력 박람회

1. 행사개요

행사명 : 『민군기술협력 박람회』

기 간 : 2014년 5월 29일(목) ~ 6월 1일(일)

장 소 : KINTEX 4~5 Hall / 21,545㎡

주 최 : 국방부, 미래부, 산업부, 방위사업청

주 관 : ADD, 국방기술품질원, 정부출연연구기관

참 가 : 정보통신, 정보보안, 소프트웨어 관련 대기업, 중소기업 등

참석자 : VIP 국방부, 미래부, 산업부 장관, 국회, 관련 기관장,

군 및 기업 관계자, 일반인, 학생 등 참가

2. 행사소개

국방기술의 발전, 정부부처 간 협업, 民‧軍 기술의 협력(Spin on/off/up) 성과물 전시, 홍보

국민은 “생산하는 국방”을 체험하고, 기업에게는 “창조경제 주역의 기회”를 제공하는 국민 축제의 장 마련

혁신적 국방경영 및 국방과학기술 발전(창조적 국방 R&D 추진)

참여 기관 및 업체

- 정부출연연구소 : 27개(ADD, 기품원, 정부출연연구기관 25개)

- 업체 참여 : 159개(방산업체 90개, 일반업체 69개)

관람인원

3. ETRI 참가기술

직할부서	기술명 및 소개
SW콘텐츠 연구소	ㅇ고신뢰 자율제어 SW를 위한 CPS 핵심 기술 전장환경의 변화에 따라 첨단화⋅지능화되고 있는 복잡한 스마트 무기체계 개발 시 설계에서 양산까지 빠르고 효율적인 개발을 가능하게 하는 기술로써, 미래 무기체계 개발을 컴퓨터상의 가상환경에서도 가능하도록 한 모의실험환경기반 신개념 무기체계 개발 기술
부품소재 연구소	ㅇGaN 트랜지스터 기반의 Ku-Band 고출력 증폭기 기술 Ku 대역(12∼18 GHz) 15W, 25W급 GaN 트랜지스터의 설계, 공정, 측정 기술을 국내 독자개발 하고, 개발된 GaN 트랜지스터를 이용하여 군수용 200W급 반도체 고출력증폭기, 민수용 40W급 위성용 반도체 고출력 증폭기를 개발하는 기술
방송통신 미디어 연구소	ㅇKa 대역 GaN MMIC 기반 SSPA 기술 기존의 GaAs(Gallium Arsenide) 소자에 비해 넓은 밴드갭 특성과 고온 안정성을 갖는 GaN(Gallium Nitride) 기술을 이용하여, 작은 면적에서 고효율/고출력 특성을 갖는 고출력증폭기 MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) 및 모듈 기술로, 미래 군통신/레이더 및 민수 무선/위성 통신 시스템용 핵심 기술

4. 박람회장 구성

전시관	구 성
민군기술관	민군기술협력 소개, 민군기술협력사업 성과, 창조국방, 국방기술비전
창조협력관	부처협력 소개, 협력 성과물, 미래적용 기술(출연연)
기업지원관	방산단계 소개, 국산화 개발성과, 개발필요부품 등

5. 전시회 화보

민군기술협력 박람회 대통령 축사

CPS 핵심 기술 시연(연구회 이사장)

Ku-Band 고출력 증폭기 기술 보고(미래부 장관)

Ka 대역 GaN MMIC 기반 SSPA 기술 시연

ETRI IT어린이기자단 활동