기술 요약

SiC 고전압 쇼트키 다이오드

SiC 고전압 쇼트키 다이오

기술 개요

SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심 기술 개발

- 1200V 20A급 SiC 다이오드 시뮬레이션 및 설계 기술

- 1200V 20A급 SiC 다이오드 핵심 공정 기술

- 1200V 20A급 SiC 다이오드 소자 제작 및 평가 기술

사양

1200V 20A급 SiC 다이오드

이전 가능

기술

6인치 SiC 소자 일괄 공정 제공

- 고전압 소자 시뮬레이션 및 설계

- 6인치 핵심 단위공정

- 초고온 산화막 성장 기술

기술 적용

분야

전기자동차, 태양광 발전시스템용 인버터 등 600~ 1200V급 고전압 다이오드

데이터 센터, 전기자동차, 가전용, 산업용 기기

- 태양광 발전 시스템 인버터

고속전철용 전력소자, 군수·우주용 전력 소자

특허 사항

특허 명

쇼트키 다이오드

출원등록

사항

출원 번호: 10-2015-0042666(한국)

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: 실리콘 카바이드, 다이오드, 쇼트키 다이오드