기술 요약

파장가변 DBR 레이저 소자 및 제작 기술

파장가변 DBR 레이저 소자 및 제작 기

기술 개요

파장가변 DBR 레이저는 파장가변을 위해 전류 주입형 방식과 열 주입형 방식으로 구

동할 수 있는데 이를 동시에 적용할 경우 양방향 파장가변으로 인해 파장가변 범위를

확대할 수 있음

기술의 특징

및 장점

1550 nm 대역 파장대의 광을 발생하는 활성영역과 DBR 영역으로 구성되어 회절격자

가 DBR 영역에 배치

C-band 또는 L-band 파장 영역대의 파장 가변 레이저를 위해서는 활성층은 발진개시

전류저감, 미분이득 증가, 선폭 감소 등을 위해 다중양자 우물구조를 가짐

활성층 영역과 DBR영역은 광 결합 손실을 최소화하기 위하여 Butt-joint 기술을 사용

하여 단일 집적 형태로 구성하고, 파장가변이 되는 DBR 영역에는 브라그 조건 의거하

여 격자를 제작하며, 낮은 임계 전류를 가진 소자를 위해 매립형의 도파로 구조로 제작

활용분야

반도체 파장가변 레이저 다이오드

특허 사항

특허 명

해당사항 없음

출원등록

사항

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: 파장가변, DBR레이저, 활성층 영역