플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모
(금속배선 기판, TFT 회로, OLED) 조건
ICT창의연구소 실감소자원천연구본부
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플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 조건
플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 조건 (금속배선 기판)
OCA-PET (선택)
SiO2
OCA-PET
투명 PI
Mo
Mo
Barrier (SiNx / SiO2)
금속배선 기판
기판 크기
6 inch
소자영역
표준 Die 크기 40 x 40 mm2
플렉시블 기판
PI / OCA (50 um) / PET (50 or 100 um)
PI 필름 두께
투명PI 5 ~ 10 um
기판버퍼
SiNx / SiO2 (400 ~ 600 nm)
배선 물질
Mo (150 nm) Rs ~1.3 Ω/□
절연막/보호막
SiO2
Design Rule
10 um
FPCB
(선택사항) 160 pads, 개별소자별 전극패드 가능
상부보호필름
(선택사항) OCA (50 um) / PET (50 or 100 um)
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플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 조건
플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 조건 (TFT 회로)
OCA-PET (선택)
Pvx
OCA-PET
Gate
ACT
Source
GI
Drain
Barrier
투명PI
TFT 회로
기판 크기
6 inch
소자영역
표준 Die 크기 40 x 40 mm2
플렉시블 기판
PI / OCA (50 um) / PET (50 or 100 um)
PI 필름 두께
투명PI 5 ~ 10 um
기판 버퍼
SiNx / SiO2 (400 ~ 600 nm)
Gate
Mo 150 nm
Gate insulator (GI)
SiO2 200 nm
Active (ACT)
Al-doped IZTO 30 nm
Source-Drain
Mo 150 nm
Passivation (PVX)
SiO2 200 nm
TFT 특성
이동도 = 35± 5 cm2/Vsec, Vth = 1.0± 1 V
(10μm 채널 기준)
FPCB
(선택사항) 160 pads, 개별소자별 전극패드 가능
상부보호필름
(선택사항) OCA (50 um) / PET (50 or 100 um)
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플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 조건
플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 조건 (OLED)
OLED
기판 크기
6 inch
Panel (Active area)
100 x 40 mm2 (80 x 28 mm2)
단위픽셀 크기
160 x 50 um2
플렉시블 기판
PI (8 um) / OCA (50 um) / PET (50 or 100 um)
배선 (두께/폭)
Mo (150 nm / 20 um) Rs ~1.3 Ω/□
Barrier (하부 보호막)
SiNx / SiO2 (400 ~ 600 nm)
TFE passivation layer
Al2O3 (30 nm)/ Barrier film (134 um)
OLED Type
Bottom OLED (segment 구동방식)
Color
Red/Green/Blue 중 택1
Contact pad
Active area : 80 x 28 mm
40mm
100mm
OLED 구동
파트
OLED 구조
파트
OLED 설계
파트
ITO (100 nm)
PET film (50 um or 100 um)
OCA (50 um)
PI (8 um)
Mo
Mo
HIL/HTL/EML/ETL/EIL
Cathode (100 nm)
TFE Passivation Layer
Barrier(SiN
x/SiO2) (400~600 nm)
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플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 조건
플렉시블 전자소자 프로토타이핑 공모전 신청 절차
ETRI 홈페이지 공지사항 접속
프로토타이핑 공모전 신청서
다운로드/작성 및 메일 신청
공모전 신청서 파기
선정 여부 결정
No
Yes
분야 결정
금속배선/OLED
TFT 회로
TFT PDK 확인
공정 진행
플렉시블 전자소자 시제품 제작
결과물 공유 및 언론 홍보
비적정
적정
