기술 요약

S-band 80W GaN 전력소자 기술

S-band 80W GaN 전력소자 기

기술 개요

S-band 80W GaN 전력소자 기술은 선박, 레이더, 미사일 등 민/군수용 으로 활용도

가 높고 선진국에서의 기술 도입이 매우 어려워 자체적으로 기술 확보가 필수적인

민/군수용 선박, 레이더의 핵심 기술 중의 하나임

해외 기업체의 주요 상품군인 S-band용 GaN 전력소자를 대체할 수 있는 기술로 S-

band 80W GaN 소자의 공정 및 소자에 대한 성능 평가 기술 등을 포함

사양

동작주파수 : 3 GHz, 출력전력 : > 80 Watt (49 dBm), 전력이득(Gain) : > 6 dB

전력효율(PAE) : > 35 %, 차단주파수(fT): > 10GHz, 최대발진주파수(fmax): > 

30GHz, 드레인 포화전류(Idss) : > 500 mA/mm, 트랜스컨덕턴스(Gm) : > 150 

mS/mm, 문턱전압(Vth) : -3.0 ± 0.5 V, 게이트 길이(Lg) : 0.5 ± 0.1 µm 

이전 가능

기술

S-band용 GaN 전력소자 시험 절차 및 결과서

S-band 80W GaN 전력소자 시제품 20개 및 공정 완료된 웨이퍼 1장

관련 기술문서 및 지적재산(TM/TDP, 특허)

기술 적용

분야

군수용 레이더 : 해상용 레이더, 방공 레이더, 탐색기용 증폭기

민수용 레이더 : 선박 레이더, 기상 레이더, 위성 통신용 증폭기

특허 사항

특허 명

전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

출원등록

사항

출원 번호: 2012-0144126(한국)

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: GaN, HEMT, S-band, 80W