기술 요약

차세대 무선 통합망 주도 파장가변광원 기술

차세대 무선 통합망 주도 파장가변광원 기

기술 개요

차세대 무선 기지국 통합망의 핵심 광부품인 반도체 기반 파장가변 변조 광원

사양

CWDM 채널내 가변 (~20nm), Front-haul newtork (10/20km)

CPRI options (opt. 3 to 10)

이전 가능

기술

파장가변 변조광원 칩 설계 구조 (IPR) 및 칩 제작 기술

파장가변 변조광원 칩양산 기술

수요자 요구성능에 맞는 파장가변 변조광원 칩 제공

기술 적용

분야

파장가변 광원 칩, 송신 모듈, 트랜시버

라인카드, 프런트홀 시스템

특허 사항

특허 명

1-고속 변조를 위한 깊은 식각 매립형 반도체 레이저 다이오드

2-DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR RIDGE LASER DIODE AND FABRICATING 

METHOD THEREOF

출원등록

사항

1-출원 번호: 2014-0019806 (한국)

2-출원 번호: 14/601780 (미국)

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: 파장가변광원, 가시광파장, 엑스선튜브