기술 요약

단파장(<360nm) UV-LED용 에피기술

단파장(<360nm) UV-LED용 에피기

기술 개요

본 기술은 자외선 파장을 이용하는 AlGaN 기반 화합물 반도체 에피 성장 기술에 관

한 것임

본 기술은 고품위 AlGaN 에피 성장기술 및 360nm이하의 자외선 광원용 AlGaN 에피

성장 및 활성층 에피 성장 기술로 구성되어 있음

기술의 특징

및 장점

- 360nm UV-LED 기술은 고품위 AlGaN 성장기술을 기반으로 한다. 고농도 AlGaN 에피

성장 기술은 격자 부정합에 의하여, 관통 전위밀도가 매우 높고, crack이 발생하여 광소자

로 사용하기 어려우므로 이를 극복하기 위한 성장 기술이 필요한 기술이다.

⦁선택성장 기법을 통한 전위 밀도 및 기판 표면 제어 기술

⦁응력 이완을 통한 crack-free AlGaN 성장 기술

⦁대구경 기판 적용을 위한 crack 제어 패턴 설계 및 성장기술

- 360nm LED 제작을 위한 양자 우물 구조 설계 및 성장 기술이 필요한 기술이다

기술이전

범위

질화물 기반 반도체 자외선 LED 및 LD 광원 에피 성장 관련 특허 및 기술 문서

선택성장 기법을 통한 저결함 AlGaN 에피성장 관련 특허 및 기술문서

고품위 선택성장을 위한 기판 표면처리 및 제어 관련 기술문서

선택성장을 통하여 응력 제어를 통한 crack-free AlGaN 에피 성장 관련 기술문서

360nm 자외선 LED 에피 설계/성장관련 기술문서

대구경 기판 적용을 위한 crack 제어용 패턴 설계 특허

특허 사항

특허 명

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

출원등록

사항

US8759204(미국)

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: 단파장, UV-LED, 에피