기술 요약

Near-IR 대역 실리콘 포토 디텍터 기술

Near-IR 대역 실리콘 포토 디텍터 기

기술 개요

1060nm 파장대역에서의 높은 광 감응도와 빠른 반응속도, 그리고 높은 항복전압과

낮은 누설전류의 특성을 갖는 대면적*의 Multi-Cell(4분할) PD(Photo-Detector)에

대한 소자/공정의 설계 및 제조

사양

수광부 직경(Active area): 1.4cm ± 10%, 4분할 수광부간 거리: < 200㎛

역방향 항복전압: > 180V (@10u㎂)

누설전류: < 100nA (@150V)

감응도: > 0.4 A/W (@1060nm, Vr=150V)

Rising Time: < 20ns (@1060nm, Vr=150V, Load Resistance=50Ω

이전 가능

기술

위 사양을 만족하는 1060nm 파장대역 Multi-Cell 실리콘 포토디텍터 소자/공정 설

계 및 제조 기술

기술 적용

분야

항공. 방산 분야 뿐만 아니라 Laser Detection 및 Guidance, High Speed 

Photometry, Near-IR Pulsed Light Sensor 등의 다양한 분야에 적용 가능

특허 사항

특허 명

특허 무

출원등록

사항

문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)

Key Word: 실리콘포토디텍터, 소자, 공정