ETRI-세마텍, 차세대 반도체 소자 글로벌 파트너십 구축

- 24일, ETRI서 차세대 화합물반도체 연구협력 MOU
- 상호 연구역량 보완 통해 세계 최고 ‘III-V MOS 기술’ 개발 속도

ETRI(한국전자통신연구원, 원장 김흥남)와 미국 세마텍(SEMATECH, INC, 최고경영자 Dan Armbrust)은 24일 오후 5시 ETRI에서 김종대 ETRI 융합부품소재연구부문 소장, 라 자미(Raj Jammy) 세마텍 부사장 등 관계자 20여명이 참석한 가운데 차세대 반도체 소자와 관련한 연구 협력협정(MOU)을 체결했다.

이번 MOU는 반도체 분야 세계 최고 수준의 양 기관 기술 역량을 집결시키기 위한 것으로, 양 기관은 이미 지난 2월부터 기밀정보협정(CIA)과 협력의향서(LOI) 교환을 통해 협력기반 및 신뢰를 다져왔다.

양 기관은 이번 MOU를 통해 갈수록 치열해지는 글로벌 반도체 시장에서 상호 윈-윈(win-win)하기 위한 방안을 모색한다. 우선 양 기관은 실리콘(Si) 반도체의 최소화(Scaling-down) 한계를 극복할 수 있는 기술적 대안으로 떠오르고 있는 차세대 금속산화막반도체전계효과트랜지스터(III-V MOSFET)의 국제공동연구, 인력 및 정보 교류 등에 협력할 계획이다.

김종대 ETRI 융합부품소재연구부문 소장은 "이번 MOU는 차세대 반도체 소자로 각광을 받고 있는 고속 III-V 소자 및 고유전율(high-k) 유전체 MOS 소자 분야 세계 최고 수준 연구기관 간의 상호보완적 협력사례“라면서 ”기존 실리콘 반도체 소자가 지닌 기술적 한계를 뛰어넘는 혁신적 반도체 소자 개발이 가속화될 것으로 기대한다“고 말했다.

라 자미(Raj Jammy) 세마텍 부사장도 “조만간 세계 반도체 시장은 코어 트랜지스터가 실리콘 소자에서 화합물반도체 소자로 중심 이동을 할 것”이라면서 “양 기관은 이번 협력을 계기로 화합물반도체 기반 금속산화물반도체 (III-V MOS) 분야 선도연구기관으로 자리매김할 것이다”고 기대감을 내비쳤다.

한편, ETRI와 세마텍은 세부적인 연구협력 일환으로 ▲MBE/MOCVD를 이용한 HEMT 및 MOSFET용 화합물반도체 에피기술 개발 ▲비소화물(Arsenide) 및 인화물(Phosphide) 에피소재 테스트를 위한 HEMT 소자 공정 개발 ▲게이트용 고유전율(high-k) 유전체 공정 개발 ▲III-V 전자소자 및 광소자 측정기술 개발 등을 공동 추진할 계획이다.

[배포번호 : 2012-76호]